12.1 
 | 集成电路关键装备 
 |   | (另行制定) 
 | (另行制定) 
 | 
12.2 
 | 光伏设备 
 |   
 |   
 |   
 | 
12.2.1 
 | 超大尺寸超导磁场单晶硅炉 
 | I 
 | 1、主炉室直径:Φ1350; 
2、拉制晶体直径:12~18英寸; 
3、装料量:≥300kg; 
4、热场尺寸:30〞~32〞; 
 | 1、大尺寸热场温度控制稳定性技术; 
2、超导磁场引入技术; 
3、智能控制技术。 
 | 
12.2.2 
 | 吨级单晶硅铸锭炉 
 | I 
 | 1、单炉投料量:800kg~1200kg; 
2、坩埚尺寸≥1050*1050*540mm; 
3、可开方为≥36块小方锭; 
4、一、二、三类类单晶成品率70%以上; 
 | 1、先进控制技术; 
2、先进的定向结晶控制工艺,对热场温度横向均匀性控制及垂直梯度控制技术; 
 | 
12.2.3 
 | 大容量多晶铸锭炉 
 |   
 | 铸锭尺寸:840×840×275(mm) ; 
铸锭时间:≤60小时; 
冷态真空:≤0.5Pa。 
 | 热场分控技术; 
定向凝固技术。 
 | 
12.2.3 
 | 硅片切割设备 
 | I 
 | 太阳能电池硅片多线切割设备    技术指标: 
  最大加工外形尺寸:156×156×500(mm)4根 
  方片: 210×210×500(mm)2根 
  直径:φ160×500(mm)4根 
  使用线径φ0.1mm~0.16mm 
主辊直径φ300 mm,长度520 mm 
  线速最大18m/s 
  工作台快速返回速度 0~500mm/min 
  工作台切割速度 0~9mm/min 
 | 1、整机系统集成技术及多线切割设备产业化生产、制造、工艺等关键技术; 
  2、水冷却,气密封精密主轴的设计制造技术; 
  3、精密主辊的设计制造技术; 
  4、双工作台低速进给变速切割控制技术; 
  5、线张力自动控制技术; 
  6、砂浆恒温控制技术; 
  7、整机及单元智能控制技术; 
  8、液压自动卸线技术;                                       9、断电断线检测及保护技术。 
 | 
12.2.4 
 | 多晶槽式制绒设备 
 | I 
 | 可处理硅片尺寸:125mm×125mm            156mm×156mm 
  可处理硅片厚度:≥150μm 
  制绒工艺温度:4-12℃±0.5℃ 
  设计产能:6000片/小时(四通道)  3000片/小时(双通道) 
 | 1、批量多晶硅电池片在酸腐蚀环境下的精确温度控制技术; 
  2、分步式制绒概念的物化设计; 
  3、制绒液温度、浓度与生产批次的关系研究; 
  4、“设备+工艺”模式的规模化应用技术。 
 | 
12.2.5 
 | 全自动扩散炉 
 | I 
 | 可处理硅片尺寸:125X125mm,156X156mm;装片量:400~500片/管;设备管数:1~5管; 
 | 单机自动化技术 
高方阻工艺等。 
 | 
12.2.6 
 | 自动管式PECVD 
 | I 
 | 可处理硅片尺寸: 
  125X125mm,156X156mm; 
装片量: 
  252片、280片/125X125mm/管; 
  216片、240片/156X156mm/管; 
设备管数:1~4管; 
 | 单机自动化技术 
 | 
12.3 
 | 发光二极管设备(LED) 
 |   
 |   
 |   
 | 
12.3.1 
 | 蓝宝石晶体生长炉 
 | I 
 | 1、投料量:150kg; 
2、晶体生长方法:泡生法; 
3、转速:0.1~20mm/min; 
4、提升:0.1~10mm/min; 
5、加热方式:电阻加热器。 
 | 1、大尺寸及大投料量蓝宝石晶体生长技术; 
2、有利于大尺寸晶体生长的热场分布技术; 
3、晶体生长控制系统的全自动化技术; 
4、超低含量钛杂质的蓝宝石晶体生长技术。 
 | 
12.3.2 
 | 金刚石多线切割机 
 | I 
 | 1、 工作台尺寸:150mm 
   L100mm(宽)100mm(高)       2、金刚线进给速度: 
   最大  60mm/min  
   最小 0.03mm/min              3、最大容线量:45km               4、最大线速:600m/min              5、最大摇摆角度:6º   
 | 1、金刚石线张力控制系统设计技术; 
2、金刚石线在线轴上的排线控制系统设计技术; 
3、槽轮向下进给速度的精确控制系统设计技术; 
4、槽轮摇摆速度的精确控制技术; 
5、“金刚石线”制造技术。 
 | 
12.3.3 
 | 高亮度发光二极管有机金属化学汽相沉积系统(MOCVD) 
 | I 
 | 容量>50片/炉 (2英寸)  
GaN膜厚均匀性<5% 
GaN生长速率>2微米/小时 
InGaN中In组分均匀性<1% 
 | 1、中温到高温范围温度均匀性控制技术; 
2、气体组分均匀性控制技术; 
3、复杂反应腔整体可靠性、重复性控制技术。 
 | 
12.3.4 
 | LED自动划片机  
 | I 
 | 50-150mm,步进精度优于0.003mm 
 | 智能控制技术 
 | 
12.3.5 
 | LED粘片机 
 | I 
 | 粘片速度≥12000只/小时; 
装片精度≤±38μm。 
 | 高速高精度对准技术 
 | 
12.3.6 
 | LED等离子刻蚀机 
 | I 
 | 装载容量>20片/炉(2英寸) 
刻蚀速率GaN>120nm/分钟 
蓝宝石>60nm/分钟 
刻蚀均匀性<5% 
 | 蓝宝石衬底刻蚀速度及均匀性控制技术 
 | 
12.4 
 | TFT-LCD设备 
 | I 
 |   |   | 
12.4.1 
 | 液晶显示用玻璃基板成套生产设备 
 | I 
 | 可用于生产6代及以上的玻璃基板,基板尺寸1500×1850mm以上 
 |   | 
12.4.2 
 | CELL摩擦机 
 | I 
 | 适合6代及以上生产线,基板尺寸1500×1850mm 
 | 高可靠性和运转稳定性技术研究 
 | 
12.4.3 
 | Panel贴片机 
 | I 
 | 适合6代及以上生产线,贴附精度:±0.05mm 
 | CCD对位识别系统,设备工作的高可靠性和运转稳定性技术 
 | 
12.4.4 
 | LCM成套生产设备 
 | I 
 | 适合6代及以上生产线,基板尺寸1500×1850mm 
 | 高可靠性和运转稳定性技术 
 |